How To Operate Probe Station On Wafer

初入半導體的高頻產業,開始一定由量測開始,今天就來談,如何操作探針台。
高頻探針台量測台主要的有四大部件。(如下圖所示)
1.探針台本體(Probe Station),這裡面的機構學問很大,下探針的活性,是整個探針台的價格的關鍵,台灣也有學界有與業界合作設計探針台,如高雄科大的吳松茂教授主持的先進構裝整合技術中心,裡面有設計出先進的雙面量測探針台。

2.探針(Probe),這裡的學問主要跟連接器一樣,需要符合高頻又要可以實現出來的設計,加上由於尺度很小,需要精密加工能力,材料與電鍍也是很重要的元素。(金屬材料需要有彈性及韌性,電鍍需要有硬度及小的表面粗糙度最重要的導電性要好)
選用部分除了要注意頻率範圍,還需要注意耐電流及探針間距(Pitch)

3.校正器(Impedance Standard Substrate),裡面除了材料及製作工藝,很大的技術能量在於,校正器的高頻特性的萃取資料,這資料可以輸入網路分析儀校正到探針的探點。
選用部分要注意要符合探針間距(Pitch)、接腳定義(pin define),及不同的校正方式。

4.網路分析儀(Network Analyzer),這裡的選用就不用多說了,這裡建議要選用最高等級的網路分析儀(如Keysight PNA等級),會有比較多的校正選項,符合晶圓量測的多變性。(也許會接Load Pull System,參考之前章節Power Amplifier Design & Measurement)

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圖片來源cascademicrotech & keysight

Calibration Co-Plane (mechanism)

探針量測之前,第一件要做的事情就是將探針,將探針探點校正在同一個平面,步驟大約如下。
1.將鍍金片放置探針台,並將探針下到鍍金片。
2.調整探針台旋鈕,使探針在鍍金片刮出痕跡(注意不要刮太深,探針很容易斷)。
3.如果探針刮出的痕跡如左下圖一樣,代表探針的下方的G探針比上方的S、G探針接近平面,就必須修正水平旋鈕。
4.調整水平旋鈕直到如右下圖一樣,所有刮痕都一樣,即達到探針的GSG共平面。
NOTE:
1.探針的間距越大(Pitch),以及探針的探點越多(如GS、GSG、GSSG…),越難達成探針的共平面,怎麼達到探針的共平面,會關係到之後校正的品質,如果有機會玩到探針台,讀者再慢慢體會。
2.使用探針台,由於量測都是小尺度的元件,所以都會使用顯微鏡去看探針及代測物的相對位置,所以要適應顯微鏡看到的空間感,這部分需要練習去習慣。

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Calibration Network Analyzer (microwave)

做完探針的共平面後,就進入重頭戲了,如何去做探針的校正,這裡舉SOLT的校正方法,當然探針的校正不只SOLT的校正,也有可能是TRL、LRM…等校正方法,要選怎樣的校正方法,可以看待測物的形式,及出線方向。

SOLT的探針校正方法,跟同軸的校正方式差不多,重點是下探針在校正器的時後,需要確認探針確實的接觸到校正器,並將下探針點如下圖所示,比較特別的是OPEN的量法,在探針接觸SORT的校正位置後,利用旋鈕將探針向上離開SORT的校正位置,大約上向旋鈕轉3~5圈。(千萬不要轉錯方向,探針會斷)

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Verify Calibration

完成探針校正後,就需要去驗證校正結果,以免量出不對的值,才發現是校正沒校好。
那如何驗證校正結果呢?可以參考下列範例。
1.Load驗證,將探針再下在Load校正器上,去驗證全頻寬的迴返損失(R.L)小於-20分貝(dB),接下來再去看相位全頻寬+90或-90度(deg)

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2.如校正OPEN的方法,去量測全頻寬的迴返損失(R.L)小於+/-0.05分貝(dB),接下來再去看相位介於0~5度。

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3. 如校正SHORT的方法,去量測全頻寬的迴返損失(R.L)小於+/-0.05分貝(dB),接下來再去看全頻寬相位等於180度。

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4. 如校正THRU的方法,去量測全頻寬的迴返損失(R.L)小於+/-0.05分貝(dB),接下來再去看相位介於0~-30度

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如果驗證完這幾項校正鍵特性,恭喜你完成探針台的校正,可以開始使用探針台量測了。

參考文獻
Ref[1] 150mm Probe Stations by cascademicrotech
Ref[2] Impedance Standard Substrates by cascademicrotech